Продукція > NEXPERIA > PSMN012-100YSFX
PSMN012-100YSFX

PSMN012-100YSFX Nexperia

PSMN012-100YSF.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 100V 65A N-CH MOSFET
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.33 грн
10+83.36 грн
100+51.09 грн
500+40.45 грн
1000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN012-100YSFX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm.

Інші пропозиції PSMN012-100YSFX за ціною від 56.01 грн до 194.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN012-100YSFX PSMN012-100YSFX Nexperia USA Inc. PSMN012-100YSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+88.70 грн
50+66.77 грн
100+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFX PSMN012-100YSFX NEXPERIA 3982302.pdf Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+186.85 грн
500+169.77 грн
1000+153.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFX PSMN012-100YSFX NEXPERIA 3982302.pdf Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.91 грн
10+190.88 грн
100+186.85 грн
500+169.77 грн
1000+153.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFX PSMN012-100YSF.pdf
PSMN012-100YSFX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.23 грн
10+88.70 грн
50+66.77 грн
100+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFX 3982302.pdf
PSMN012-100YSFX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+186.85 грн
500+169.77 грн
1000+153.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFX 3982302.pdf
PSMN012-100YSFX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+194.91 грн
10+190.88 грн
100+186.85 грн
500+169.77 грн
1000+153.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.