PSMN012-100YSFX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 85.14 грн |
| 500+ | 65.43 грн |
| 1000+ | 60.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN012-100YSFX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN012-100YSFX за ціною від 44.46 грн до 172.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN012-100YSFX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 100V 65A N-CH MOSFET |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN012-100YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN012-100YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN012-100YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN012-100YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |