Продукція > NEXPERIA > PSMN012-100YSFX
PSMN012-100YSFX

PSMN012-100YSFX NEXPERIA


3982302.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN012-100YSFX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN012-100YSFX за ціною від 31.24 грн до 132.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN012-100YSFX PSMN012-100YSFX Виробник : Nexperia PSMN012-100YSF.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 12.5 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyenhanced for repetitive avalanche
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.84 грн
10+87.02 грн
100+54.06 грн
500+45.11 грн
1000+42.69 грн
1500+35.03 грн
3000+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFX PSMN012-100YSFX Виробник : NEXPERIA 3982302.pdf Description: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.18 грн
10+89.31 грн
100+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFX PSMN012-100YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN012-100YSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.05 грн
10+80.88 грн
100+54.43 грн
500+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFX PSMN012-100YSFX Виробник : Nexperia psmn012-100ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFX PSMN012-100YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN012-100YSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.