Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN012-60YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 89W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm.
Інші пропозиції PSMN012-60YS,115 за ціною від 28.53 грн до 121.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 89W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm |
на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 12327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PSMN012-60YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 31.87 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 31.87 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 32.75 грн |
| 3000+ | 31.59 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 431+ | 32.94 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 33.01 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 427+ | 33.21 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 33.61 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 40.13 грн |
| 3000+ | 37.49 грн |
| 7500+ | 37.47 грн |
| 9000+ | 36.05 грн |
| 10500+ | 32.08 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 41.21 грн |
| 3000+ | 39.40 грн |
| 7500+ | 39.34 грн |
| 9000+ | 36.63 грн |
| 10500+ | 33.88 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 43.21 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 43.28 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 50.16 грн |
| 30000+ | 45.84 грн |
| 60000+ | 42.65 грн |
| 90000+ | 38.79 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 87.24 грн |
| 13+ | 61.98 грн |
| 100+ | 39.38 грн |
| 500+ | 37.59 грн |
| 1000+ | 33.47 грн |
| 1500+ | 28.53 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 345+ | 102.83 грн |
| 500+ | 92.54 грн |
| 1000+ | 85.34 грн |
| 10000+ | 73.38 грн |
| 100000+ | 56.92 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.93 грн |
| 10+ | 74.26 грн |
| 100+ | 49.67 грн |
| 500+ | 36.72 грн |
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 12327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






