PSMN012-60YS,115 Nexperia USA Inc.


PSMN012-60YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN012-60YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 89W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm.

Інші пропозиції PSMN012-60YS,115 за ціною від 23.13 грн до 187.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.60 грн
500+92.34 грн
1000+85.15 грн
10000+73.22 грн
100000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+69.06 грн
100+46.16 грн
500+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia PSMN012-60YS.pdf MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 23072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.49 грн
10+73.71 грн
100+41.59 грн
500+32.05 грн
1000+29.05 грн
24000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.77 грн
10+107.30 грн
50+88.60 грн
200+65.21 грн
500+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
345+102.60 грн
500+92.34 грн
1000+85.15 грн
10000+73.22 грн
100000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.87 грн
10+69.06 грн
100+46.16 грн
500+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 23072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.49 грн
10+73.71 грн
100+41.59 грн
500+32.05 грн
1000+29.05 грн
24000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 NEXP-S-A0003059600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+187.77 грн
10+107.30 грн
50+88.60 грн
200+65.21 грн
500+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.