PSMN012-80BS,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 57.90 грн |
| 1600+ | 51.55 грн |
| 2400+ | 49.41 грн |
| 4000+ | 44.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN012-80BS,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN012-80BS,118 за ціною від 67.69 грн до 174.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V |
на замовлення 4794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN012-80BS,118 | Nexperia |
MOSFETs PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK |
на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 67.69 грн |
| PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2400+ | 68.75 грн |
| PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2400+ | 68.87 грн |
| PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 71.14 грн |
| PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 98.21 грн |
| 152+ | 93.82 грн |
| PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 108.31 грн |
| 800+ | 81.88 грн |
| 1600+ | 75.72 грн |
| 2400+ | 69.98 грн |
| PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 116.71 грн |
| PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 174.74 грн |
| 10+ | 108.07 грн |
| 100+ | 73.74 грн |
| PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK
MOSFETs PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




