Продукція > NEXPERIA > PSMN012-80PS,127

PSMN012-80PS,127 Nexperia


PSMN012_80PS-2938660.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN012-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.97 грн
10+127.82 грн
100+89.05 грн
500+73.18 грн
1000+60.75 грн
2500+56.61 грн
5000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN012-80PS,127 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 148W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V.

Інші пропозиції PSMN012-80PS,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN012-80PS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.