Продукція > NEXPERIA > PSMN013-100BS,118
PSMN013-100BS,118

PSMN013-100BS,118 Nexperia

1732250226334907psmn013-100bs.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN013-100BS,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 170W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm.

Інші пропозиції PSMN013-100BS,118 за ціною від 75.87 грн до 335.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA PSMN013-100BS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.89 грн
250+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
500+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
500+158.29 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN013-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.63 грн
10+110.83 грн
100+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA PSMN013-100BS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.05 грн
10+215.04 грн
50+160.27 грн
100+124.89 грн
250+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS.pdf
PSMN013-100BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+124.89 грн
250+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+167.74 грн
500+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
PSMN013-100BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+167.74 грн
500+158.29 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS.pdf
PSMN013-100BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.63 грн
10+110.83 грн
100+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS.pdf
PSMN013-100BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+335.05 грн
10+215.04 грн
50+160.27 грн
100+124.89 грн
250+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.