на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 128+ | 29.88 грн |
| 250+ | 28.22 грн |
| 500+ | 27.75 грн |
| 1000+ | 27.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN013-100BS,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN013-100BS,118 за ціною від 28.65 грн до 259.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN013-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN013-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN013-100BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN013-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN013-100BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN013-100BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN013-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN013-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN013-100BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V |
на замовлення 13085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN013-100BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMN013-100BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN013-100BS.118 SMD N channel transistors |
на замовлення 1394 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
PSMN013-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PSMN013-100BS,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 100 V 13 mohm standard level MOSFET in LFPAK56 |
товару немає в наявності |