Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN013-100YSEX
PSMN013-100YSEX

PSMN013-100YSEX Nexperia USA Inc.

PSMN013-100YSE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+54.34 грн
3000+48.73 грн
4500+46.90 грн
7500+42.09 грн
10500+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN013-100YSEX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 238W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN013-100YSEX за ціною від 55.81 грн до 175.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN013-100YSEX PSMN013-100YSEX Nexperia USA Inc. PSMN013-100YSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+108.61 грн
100+74.19 грн
500+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEX PSMN013-100YSEX Nexperia PSMN013-100YSE.pdf MOSFETs PSMN013-100YSE/SOT669/LFPAK
на замовлення 5432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEX PSMN013-100YSE.pdf
PSMN013-100YSEX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.57 грн
10+108.61 грн
100+74.19 грн
500+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEX PSMN013-100YSE.pdf
PSMN013-100YSEX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN013-100YSE/SOT669/LFPAK
на замовлення 5432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.