Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN013-30MLC,115
PSMN013-30MLC,115

PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc.

PSMN013-30MLC.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN013-30MLC,115 за ціною від 11.91 грн до 64.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
22+19.96 грн
25+18.45 грн
100+17.70 грн
250+16.35 грн
500+15.68 грн
1000+14.09 грн
1500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.55 грн
100+20.30 грн
500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Nexperia PSMN013-30MLC.pdf MOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 13277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.30 грн
10+39.26 грн
50+25.01 грн
100+22.02 грн
1500+16.44 грн
3000+13.03 грн
4500+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.48 грн
22+19.96 грн
25+18.45 грн
100+17.70 грн
250+16.35 грн
500+15.68 грн
1000+14.09 грн
1500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.30 грн
10+31.55 грн
100+20.30 грн
500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 13277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+64.30 грн
10+39.26 грн
50+25.01 грн
100+22.02 грн
1500+16.44 грн
3000+13.03 грн
4500+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.