Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN013-30MLC,115
PSMN013-30MLC,115

PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc.

PSMN013-30MLC.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, Verlustleistung: 38W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-100, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm.

Інші пропозиції PSMN013-30MLC,115 за ціною від 13.71 грн до 53.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.27 грн
22+19.78 грн
25+18.28 грн
100+17.53 грн
250+16.20 грн
500+15.54 грн
1000+13.96 грн
1500+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+31.93 грн
100+20.53 грн
500+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Nexperia PSMN013-30MLC.pdf MOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 13277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.27 грн
22+19.78 грн
25+18.28 грн
100+17.53 грн
250+16.20 грн
500+15.54 грн
1000+13.96 грн
1500+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.59 грн
10+31.93 грн
100+20.53 грн
500+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 13277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 NEXP-S-A0003059859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN013-30MLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.