Продукція > NEXPERIA > PSMN013-30MLC,115
PSMN013-30MLC,115

PSMN013-30MLC,115 Nexperia

PSMN013-30MLC.pdf Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 39A
на замовлення 13382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.31 грн
12+31.45 грн
100+20.57 грн
500+17.52 грн
1000+12.72 грн
1500+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN013-30MLC,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: SC-100, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN013-30MLC,115 за ціною від 14.72 грн до 84.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.30 грн
19+45.47 грн
100+31.54 грн
500+22.94 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.41 грн
10+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.11 грн
10+38.81 грн
50+28.33 грн
100+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.10 грн
5+72.79 грн
10+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Виробник : NEXPERIA 3013278771574531psmn013-30mlc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Виробник : Nexperia 3013278771574531psmn013-30mlc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.