Продукція > NEXPERIA > PSMN013-30YLC,115
PSMN013-30YLC,115

PSMN013-30YLC,115 Nexperia

4376920499376630psmn013-30ylc.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN013-30YLC,115 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN013-30YLC,115 за ціною від 12.32 грн до 60.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4376920499376630psmn013-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN013-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4376920499376630psmn013-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2014+15.19 грн
10000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 2014
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4376920499376630psmn013-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.63 грн
14+29.40 грн
60+15.64 грн
163+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.76 грн
10+36.63 грн
60+18.77 грн
163+17.73 грн
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : Nexperia PSMN013_30YLC-2938762.pdf MOSFET PSMN013-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 16162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.12 грн
10+41.39 грн
100+25.05 грн
500+19.54 грн
1000+18.19 грн
1500+13.43 грн
9000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN013-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.40 грн
10+37.42 грн
100+26.52 грн
500+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA 4376920499376630psmn013-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4376920499376630psmn013-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.