Технічний опис PSMN013-30YLC,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN013-30YLC,115 за ціною від 13.91 грн до 74.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 48300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 32A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 8.3nC On-state resistance: 27.2mΩ Power dissipation: 26W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
на замовлення 1758 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 32A |
на замовлення 8087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V |
на замовлення 4298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |