Продукція > NEXPERIA > PSMN013-40VLDX
PSMN013-40VLDX

PSMN013-40VLDX NEXPERIA

3191462.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.32 грн
500+35.68 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN013-40VLDX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN013-40VLDX за ціною від 28.53 грн до 95.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX Виробник : NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.85 грн
10+47.28 грн
28+33.56 грн
76+31.76 грн
1000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX Виробник : Nexperia PSMN013-40VLD.pdf MOSFETs Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D (half-bridgeconfiguration)
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.46 грн
10+59.73 грн
25+49.68 грн
100+39.45 грн
500+33.42 грн
1000+28.61 грн
1500+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX Виробник : NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.22 грн
10+58.92 грн
28+40.27 грн
76+38.11 грн
1000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX Виробник : NEXPERIA 3191462.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-40VLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.43 грн
13+65.02 грн
100+49.32 грн
500+35.68 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX Виробник : Nexperia psmn013-40vld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX Виробник : NEXPERIA psmn013-40vld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 42A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN013-40VLD.pdf Description: PSMN013-40VLD - DUAL N-CHANNEL 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN013-40VLD.pdf Description: PSMN013-40VLD - DUAL N-CHANNEL 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.