PSMN013-60HLX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 60.44 грн |
| 500+ | 53.06 грн |
| 1000+ | 46.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN013-60HLX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN013-60HLX за ціною від 45.58 грн до 129.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN013-60HLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN013-60HLX | Виробник : Nexperia |
 MOSFET PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|