Продукція > NEXPERIA > PSMN013-60HSX
PSMN013-60HSX

PSMN013-60HSX NEXPERIA

3791094.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+126.27 грн
500+91.53 грн
1000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN013-60HSX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції PSMN013-60HSX за ціною від 36.80 грн до 314.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN013-60HSX PSMN013-60HSX Nexperia PSMN013-60HS.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.86 грн
10+99.57 грн
100+58.10 грн
500+47.13 грн
1000+40.57 грн
1500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSX PSMN013-60HSX Nexperia USA Inc. PSMN013-60HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.39 грн
10+128.45 грн
50+97.71 грн
100+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSX PSMN013-60HSX NEXPERIA 3791094.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.46 грн
10+203.66 грн
100+126.27 грн
500+91.53 грн
1000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSX PSMN013-60HS.pdf
PSMN013-60HSX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+158.86 грн
10+99.57 грн
100+58.10 грн
500+47.13 грн
1000+40.57 грн
1500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSX PSMN013-60HS.pdf
PSMN013-60HSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+207.39 грн
10+128.45 грн
50+97.71 грн
100+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60HSX 3791094.pdf
PSMN013-60HSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+314.46 грн
10+203.66 грн
100+126.27 грн
500+91.53 грн
1000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.