Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN014-40HLDX
PSMN014-40HLDX

PSMN014-40HLDX Nexperia USA Inc.

PSMN014-40HLD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN014-40HLDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції PSMN014-40HLDX за ціною від 41.22 грн до 144.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX Nexperia psmn014-40hld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+53.44 грн
1000+50.20 грн
1500+45.43 грн
3000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX Nexperia psmn014-40hld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+105.64 грн
500+95.07 грн
1000+87.68 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX Nexperia USA Inc. PSMN014-40HLD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.71 грн
10+88.58 грн
50+66.53 грн
100+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX NEXPERIA 3791104.pdf Description: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX Nexperia PSMN014-40HLD.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 7094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX NEXPERIA 3791104.pdf Description: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX psmn014-40hld.pdf
PSMN014-40HLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+53.44 грн
1000+50.20 грн
1500+45.43 грн
3000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX psmn014-40hld.pdf
PSMN014-40HLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
333+105.64 грн
500+95.07 грн
1000+87.68 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLD.pdf
PSMN014-40HLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.71 грн
10+88.58 грн
50+66.53 грн
100+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX 3791104.pdf
PSMN014-40HLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLD.pdf
PSMN014-40HLDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 7094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-40HLDX 3791104.pdf
PSMN014-40HLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.