Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN014-40YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 56W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Інші пропозиції PSMN014-40YS,115 за ціною від 15.39 грн до 76.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V |
на замовлення 9983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 56W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 41866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
PSMN014-40YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 20.66 грн |
| 3000+ | 18.21 грн |
| 4500+ | 17.36 грн |
| 7500+ | 15.39 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 22.09 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 22.26 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.59 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 625+ | 22.69 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 22.90 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 418+ | 23.00 грн |
| 500+ | 22.74 грн |
| 1000+ | 19.67 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 617+ | 23.00 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 23.04 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 23.08 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 23.28 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 26.02 грн |
| 3000+ | 22.04 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4500+ | 35.54 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V
на замовлення 9983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.11 грн |
| 10+ | 45.99 грн |
| 100+ | 30.07 грн |
| 500+ | 21.80 грн |
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 41866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






