PSMN014-60HSX

PSMN014-60HSX Nexperia USA Inc.


PSMN014-60HS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN014-60HS/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN014-60HSX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0113 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMN014-60HSX за ціною від 35.68 грн до 149.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN014-60HSX PSMN014-60HSX Виробник : NEXPERIA 3791099.pdf Description: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0113 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.61 грн
500+70.50 грн
1500+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSX PSMN014-60HSX Виробник : Nexperia PSMN014_60HS-3051902.pdf MOSFET PSMN014-60HS/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.28 грн
10+81.81 грн
100+55.40 грн
500+46.94 грн
1000+38.26 грн
1500+35.90 грн
3000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSX PSMN014-60HSX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN014-60HS.pdf Description: PSMN014-60HS/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.92 грн
10+101.46 грн
100+78.89 грн
500+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSX PSMN014-60HSX Виробник : NEXPERIA 3791099.pdf Description: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0113 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.38 грн
10+120.49 грн
100+91.61 грн
500+70.50 грн
1500+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-60HSX PSMN014-60HSX Виробник : Nexperia psmn014-60hs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.