PSMN014-80YLX

PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc.


PSMN014-80YL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+28.05 грн
3000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN014-80YLX за ціною від 27.51 грн до 74.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Виробник : NEXPERIA PSMN014-80YL.pdf Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.94 грн
200+42.00 грн
500+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN014-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+53.72 грн
100+41.51 грн
500+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003107888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.72 грн
15+58.60 грн
50+52.16 грн
200+42.38 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Виробник : Nexperia PSMN014-80YL.pdf MOSFETs PSMN014-80YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.24 грн
10+66.33 грн
100+42.96 грн
500+34.36 грн
1000+27.96 грн
1500+27.88 грн
3000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX Виробник : NXP Semiconductors PSMN014-80YL.pdf MOSFET N-CH 80V LFPAK56
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Виробник : Nexperia 4387077819768298psmn014-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Виробник : NEXPERIA 4387077819768298psmn014-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX Виробник : NEXPERIA PSMN014-80YL.pdf PSMN014-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.