PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 31.14 грн |
| 3000+ | 28.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 147W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN014-80YLX за ціною від 23.51 грн до 91.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN014-80YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V |
на замовлення 4875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN014-80YLX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN014-80YL/SOT669/LFPAK |
на замовлення 6490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN014-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN014-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 147W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMN014-80YLX | Виробник : NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 80V LFPAK56 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
PSMN014-80YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN014-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 44A; Idm: 250A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 44A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PSMN014-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 62A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN014-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 44A; Idm: 250A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 44A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |