Продукція > NEXPERIA > PSMN015-100B,118
PSMN015-100B,118

PSMN015-100B,118 NEXPERIA

NEXP-S-A0002880972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+71.45 грн
800+ 53.55 грн
1600+ 48.92 грн
3200+ 48.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN015-100B,118 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMN015-100B,118 за ціною від 48.47 грн до 144.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.58 грн
1600+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-100B.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+75.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+110.89 грн
10+ 98.4 грн
25+ 96.98 грн
100+ 81.49 грн
250+ 70.3 грн
500+ 62.54 грн
1000+ 57.58 грн
3000+ 52.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
98+119.42 грн
111+ 105.97 грн
113+ 104.44 грн
129+ 87.76 грн
250+ 75.71 грн
500+ 67.35 грн
1000+ 62.01 грн
3000+ 56.67 грн
Мінімальне замовлення: 98
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002880972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+124.32 грн
10+ 107.1 грн
100+ 71.45 грн
800+ 53.55 грн
1600+ 48.92 грн
3200+ 48.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-100B.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.05 грн
10+ 108.14 грн
100+ 86.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia PSMN015_100B-1526073.pdf MOSFET PSMN015-100B/SOT404/D2PAK
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.09 грн
10+ 119 грн
100+ 83.45 грн
250+ 70.1 грн
500+ 69.43 грн
800+ 56.48 грн
2400+ 54.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA PSMN015-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA PSMN015-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній