Продукція > NEXPERIA > PSMN015-100YLX
PSMN015-100YLX

PSMN015-100YLX NEXPERIA

4334937788796893psmn015-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN015-100YLX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN015-100YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0116 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN015-100YLX за ціною від 38.82 грн до 130.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN015-100YLX PSMN015-100YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX PSMN015-100YLX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003107879-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-100YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0116 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.18 грн
500+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX PSMN015-100YLX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003107879-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-100YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0116 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.68 грн
11+81.75 грн
100+60.18 грн
500+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX PSMN015-100YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.94 грн
10+76.07 грн
100+56.08 грн
500+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX PSMN015-100YLX Виробник : Nexperia PSMN015-100YL.pdf MOSFETs NextPower 100 V, 15.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56 package
на замовлення 8576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.15 грн
10+91.15 грн
100+58.20 грн
500+47.78 грн
1000+43.67 грн
1500+38.90 грн
3000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX PSMN015-100YLX Виробник : Nexperia 4334937788796893psmn015-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 69A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX Виробник : NEXPERIA PSMN015-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX Виробник : NEXPERIA PSMN015-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.