PSMN015-110P,127 NXP

Description: NXP - PSMN015-110P,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
381+ | 105.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN015-110P,127 NXP
Description: MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 110 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMN015-110P,127 за ціною від 118.96 грн до 118.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN015-110P,127 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
PSMN015-110P,127 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
PSMN015-110P,127 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
PSMN015-110P,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 110 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
PSMN015-110P,127 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |