Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN015-60BS,118
PSMN015-60BS,118

PSMN015-60BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN015-60BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+40.57 грн
1600+38.68 грн
2400+38.30 грн
4000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN015-60BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN015-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN015-60BS,118 за ціною від 39.66 грн до 158.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270486010797723psmn015-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : NEXPERIA 3270486010797723psmn015-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270486010797723psmn015-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059785-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.03 грн
250+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.89 грн
10+82.09 грн
100+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : Nexperia PSMN015-60BS.pdf MOSFETs N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in D2PAK
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.62 грн
10+95.84 грн
100+62.28 грн
250+62.21 грн
500+40.56 грн
800+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.89 грн
10+87.59 грн
18+52.71 грн
48+50.38 грн
500+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059785-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.09 грн
10+103.51 грн
50+85.98 грн
100+64.03 грн
250+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.27 грн
10+109.15 грн
18+63.25 грн
48+60.46 грн
500+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270486010797723psmn015-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270486010797723psmn015-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.