на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.75 грн |
| 10+ | 66.76 грн |
| 100+ | 55.64 грн |
| 500+ | 54.35 грн |
| 1000+ | 50.58 грн |
| 2500+ | 50.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN015-60PS,127 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN015-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN015-60PS,127 за ціною від 50.23 грн до 506.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN015-60PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN015-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN015-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN015-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN015-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN015-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN015-60PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 20.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN015-60PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 20.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 234 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN015-60PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
PSMN015-60PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |




