PSMN015N10NS2_R2_00201 Panjit International Inc.


20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 1.5M / TOLL FOR ESS/ BBU/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 395A
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+277.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN015N10NS2_R2_00201 Panjit International Inc.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 398A, Pulsed drain current: 1592A, Power dissipation: 250W, Case: TOLL, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 128nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PSMN015N10NS2_R2_00201 за ціною від 327.01 грн до 624.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN015N10NS2_R2_00201 Виробник : Panjit International Inc. 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Description: 100V/ 1.5M / TOLL FOR ESS/ BBU/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 395A
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.71 грн
10+411.60 грн
100+327.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 Виробник : PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 PSMN015N10NS2_R2_00201 Виробник : Panjit 20230516171020ta7o3bGUZ1-3240067.pdf MOSFETs 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 Виробник : PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.