PSMN016-100PS,127 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 217.90 грн |
| 10+ | 136.62 грн |
| 100+ | 94.58 грн |
| 500+ | 71.86 грн |
| 1000+ | 66.42 грн |
| 2000+ | 61.84 грн |
| 5000+ | 59.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN016-100PS,127 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 148W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN016-100PS,127
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN016-100PS,127 | Nexperia |
MOSFET PSMN016-100PS/SOT78/SIL3P |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN016-100PS,127 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN016-100PS/SOT78/SIL3P
MOSFET PSMN016-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)