
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 75.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN016-100PS,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 148W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN016-100PS,127 за ціною від 60.43 грн до 221.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN016-100PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN016-100PS,127 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN016-100PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN016-100PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 50 V |
на замовлення 6054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN016-100PS,127 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN016-100PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |