Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN016-100YS,115
PSMN016-100YS,115

PSMN016-100YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN016-100YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN016-100YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 117W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm.

Інші пропозиції PSMN016-100YS,115 за ціною від 46.51 грн до 196.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia 4381356564929802psmn016-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia 4381356564929802psmn016-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN016-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 50 V
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.20 грн
50+70.86 грн
100+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.71 грн
10+125.99 грн
100+79.09 грн
500+60.61 грн
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia PSMN016-100YS.pdf MOSFETs SOT669 100V 51A
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115 4381356564929802psmn016-100ys.pdf
PSMN016-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115 4381356564929802psmn016-100ys.pdf
PSMN016-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS.pdf
PSMN016-100YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 50 V
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.63 грн
10+94.20 грн
50+70.86 грн
100+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115 NEXP-S-A0003060131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN016-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+196.71 грн
10+125.99 грн
100+79.09 грн
500+60.61 грн
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS.pdf
PSMN016-100YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 100V 51A
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.