PSMN017-30BL,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.77 грн |
| 10+ | 71.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN017-30BL,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PSMN017-30BL,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN017-30BL,118 | Nexperia |
MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in D2PAK |
на замовлення 6183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN017-30BL,118 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in D2PAK
MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in D2PAK
на замовлення 6183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)