Інші пропозиції PSMN017-60YS,115 за ціною від 20.27 грн до 87.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN017-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W Mounting: SMD Power dissipation: 74W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Drain current: 44A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 36.1mΩ |
на замовлення 325 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 108770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V |
на замовлення 30510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 9420 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 24.02 грн |
| 4500+ | 20.27 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 30.75 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 30.82 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 320+ | 44.54 грн |
| 363+ | 39.25 грн |
| 393+ | 36.30 грн |
| 395+ | 34.81 грн |
| 531+ | 23.96 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.87 грн |
| 18+ | 44.54 грн |
| 25+ | 39.25 грн |
| 100+ | 35.00 грн |
| 250+ | 32.23 грн |
| 500+ | 23.00 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 36.1mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 36.1mΩ
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 60.44 грн |
| 10+ | 47.54 грн |
| 25+ | 38.62 грн |
| 100+ | 34.41 грн |
| 250+ | 31.86 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 108770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 438+ | 81.43 грн |
| 500+ | 73.29 грн |
| 1000+ | 67.58 грн |
| 10000+ | 58.11 грн |
| 100000+ | 45.08 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
на замовлення 30510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.16 грн |
| 10+ | 52.66 грн |
| 50+ | 39.01 грн |
| 100+ | 32.48 грн |
| 500+ | 25.23 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.88 грн |
| 10+ | 61.14 грн |
| 100+ | 31.23 грн |
| 500+ | 27.13 грн |
| 1000+ | 26.91 грн |
| 1500+ | 21.21 грн |
| 3000+ | 20.62 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







