на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 20.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN017-60YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN017-60YS,115 за ціною від 19.34 грн до 93.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 9420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN017-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMN017-60YS,115 | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN017-60YS.115 PSMN017-60YS PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS NEXPERIA TPSMN017-60ys кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 Код товару: 202290
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
PSMN017-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |