Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN017-80BS,118
PSMN017-80BS,118

PSMN017-80BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN017-80BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.70 грн
1600+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN017-80BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN017-80BS,118 за ціною від 73.06 грн до 186.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN017-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.18 грн
10+114.89 грн
50+86.88 грн
100+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS,118 Виробник : Nexperia 3008719894299641psmn017-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS,118 Виробник : NEXPERIA 3008719894299641psmn017-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS,118 Виробник : Nexperia PSMN017-80BS.pdf MOSFETs PSMN017-80BS/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN017-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.