на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 184+ | 66.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN017-80PS,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN017-80PS,127 за ціною від 51.05 грн до 132.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN017-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN017-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 103W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 103W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN017-80PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V |
на замовлення 5913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN017-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PSMN017-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PSMN017-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN017-80PS/SOT78/SIL3P |
товару немає в наявності |