| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 580+ | 24.63 грн |
| 589+ | 24.24 грн |
| 599+ | 23.85 грн |
| 609+ | 22.62 грн |
| 619+ | 20.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
580 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN018-100ESFQ Nexperia
Description: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 111W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN018-100ESFQ за ціною від 19.77 грн до 108.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN018-100ESFQ | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN018-100ESFQ | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN018-100ESFQ | NXP Semiconductors |
Description: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V |
на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMN018-100ESFQ | NXP Semiconductors |
PSMN018-100ESFQ |
на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN018-100ESFQ |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.42 грн |
| 31+ | 24.63 грн |
| 50+ | 23.37 грн |
| 100+ | 21.29 грн |
| 250+ | 20.11 грн |
| 500+ | 19.77 грн |
| PSMN018-100ESFQ |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 55.60 грн |
| 25+ | 54.12 грн |
| 50+ | 51.45 грн |
| 100+ | 46.53 грн |
| 500+ | 29.35 грн |
| PSMN018-100ESFQ |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V
Description: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 263+ | 76.11 грн |
| PSMN018-100ESFQ |
|
Виробник: NXP Semiconductors
PSMN018-100ESFQ
PSMN018-100ESFQ
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 329+ | 108.69 грн |
| 500+ | 97.82 грн |
| 1000+ | 90.21 грн |