PSMN019-100YLX

PSMN019-100YLX Nexperia USA Inc.


PSMN019-100YL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN019-100YLX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PSMN019-100YLX за ціною від 25.67 грн до 38.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Виробник : Nexperia 4335412053332142psmn019-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Виробник : Nexperia PSMN019-100YL.pdf MOSFETs SOT669 100V 56A
на замовлення 5212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.14 грн
1500+28.30 грн
3000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN019-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Виробник : Nexperia 4335412053332142psmn019-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Виробник : Nexperia 4335412053332142psmn019-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Виробник : NEXPERIA 4335412053332142psmn019-100yl.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12.pdfcidbr.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX Виробник : NEXPERIA PSMN019-100YL.pdf PSMN019-100YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.