PSMN019-100YLX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 34.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN019-100YLX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMN019-100YLX за ціною від 24.58 грн до 80.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN019-100YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN019-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN019-100YLX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN019-100YL/SOT669/LFPAK |
на замовлення 21986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN019-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
PSMN019-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
PSMN019-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| PSMN019-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 40A; Idm: 226A; 167W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 167W Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 52.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 724nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 226A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| PSMN019-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 40A; Idm: 226A; 167W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 167W Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 52.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 724nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 226A |
товар відсутній |