Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN020-100YS,115
PSMN020-100YS,115

PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN020-100YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+32.32 грн
3000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 106W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm.

Інші пропозиції PSMN020-100YS,115 за ціною від 35.96 грн до 207.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia 1730027854893108psmn020-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+62.66 грн
500+50.45 грн
1500+45.33 грн
3000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia 1730027854893108psmn020-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.44 грн
500+104.79 грн
1000+96.65 грн
10000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia 1730027854893108psmn020-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.44 грн
500+104.79 грн
1000+96.65 грн
10000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN020-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
на замовлення 17146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.69 грн
100+48.63 грн
500+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.28 грн
10+107.30 грн
100+71.69 грн
500+52.68 грн
1000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Nexperia PSMN020-100YS.pdf MOSFETs PSMN020-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 22506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 1730027854893108psmn020-100ys.pdf
PSMN020-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+62.66 грн
500+50.45 грн
1500+45.33 грн
3000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 1730027854893108psmn020-100ys.pdf
PSMN020-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+116.44 грн
500+104.79 грн
1000+96.65 грн
10000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 1730027854893108psmn020-100ys.pdf
PSMN020-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+116.44 грн
500+104.79 грн
1000+96.65 грн
10000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS.pdf
PSMN020-100YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 50 V
на замовлення 17146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.14 грн
10+72.69 грн
100+48.63 грн
500+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 NEXP-S-A0003059611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN020-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN020-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+207.28 грн
10+107.30 грн
100+71.69 грн
500+52.68 грн
1000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS.pdf
PSMN020-100YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN020-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 22506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.