Продукція > NXP USA INC. > PSMN020-30MLCX
PSMN020-30MLCX

PSMN020-30MLCX NXP USA Inc.

PSMN020-30MLC.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2308+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN020-30MLCX NXP USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN020-30MLCX за ціною від 9.27 грн до 63.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLCX Виробник : Nexperia 3013286559545055psmn020-30mlc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2823+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 2823
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLCX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN020-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.48 грн
10+35.79 грн
100+23.05 грн
500+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLCX Виробник : Nexperia PSMN020-30MLC.pdf MOSFETs PSMN020-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.60 грн
10+38.75 грн
100+21.56 грн
500+16.55 грн
1500+13.10 грн
3000+9.86 грн
9000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLCX Виробник : NEXPERIA 3013286559545055psmn020-30mlc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLCX Виробник : Nexperia 3013286559545055psmn020-30mlc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-30MLCX Виробник : NEXPERIA PSMN020-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31.8A; Idm: 127A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31.8A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 33W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLCX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN020-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN020-30MLCX Виробник : NEXPERIA PSMN020-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31.8A; Idm: 127A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31.8A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 33W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.