PSMN022-30PL,127 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 125A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 41W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 125A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 41W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.81 грн |
10+ | 52.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN022-30PL,127 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN022-30PL,127 за ціною від 37.21 грн до 106.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN022-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 125A; 41W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 41W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 4.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN022-30PL,127 | Виробник : Nexperia | MOSFET PSMN022-30PL/SOT78/SIL3P |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN022-30PL,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V |
на замовлення 7982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN022-30PL,127 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |