Продукція > NEXPERIA > PSMN025-100HSX
PSMN025-100HSX

PSMN025-100HSX Nexperia

psmn025-100hs.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN025-100HSX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN025-100HSX за ціною від 108.29 грн до 173.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN025-100HSX PSMN025-100HSX Nexperia USA Inc. PSMN025-100HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+108.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSX PSMN025-100HSX NEXPERIA 3791089.pdf Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSX PSMN025-100HSX NEXPERIA 3791089.pdf Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSX PSMN025-100HS.pdf
PSMN025-100HSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.97 грн
10+108.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSX 3791089.pdf
PSMN025-100HSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-100HSX 3791089.pdf
PSMN025-100HSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.