Технічний опис PSMN025-80YLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN025-80YLX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PSMN025-80YLX | Nexperia | MOSFETs PSMN025-80YL/SOT669/LFPAK |
на замовлення 26044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PSMN025-80YLX | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PSMN025-80YLX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 95 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN025-80YLX |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN025-80YL/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN025-80YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 26044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN025-80YLX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN025-80YLX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 95
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 95
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)