Продукція > NEXPERIA > PSMN025-80YLX
PSMN025-80YLX

PSMN025-80YLX NEXPERIA

NEXP-S-A0003107850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 95
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.05 грн
500+35.96 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN025-80YLX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PSMN025-80YLX за ціною від 19.30 грн до 82.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN025-80YLX PSMN025-80YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN025-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.04 грн
10+42.84 грн
100+31.09 грн
500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLX PSMN025-80YLX Виробник : Nexperia PSMN025-80YL.pdf MOSFETs N-channel LFPAK 80 V 27.5 mΩ standard level MOSFET
на замовлення 16560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.05 грн
10+49.43 грн
25+38.97 грн
100+31.77 грн
250+30.51 грн
500+26.50 грн
1000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLX PSMN025-80YLX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003107850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.36 грн
12+69.45 грн
100+49.05 грн
500+35.96 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLX PSMN025-80YLX Виробник : Nexperia 4387571587919299psmn025-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLX PSMN025-80YLX Виробник : NEXPERIA 4387571587919299psmn025-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLX Виробник : NEXPERIA PSMN025-80YL.pdf PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLX PSMN025-80YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN025-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.