PSMN025-80YLX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 95
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 95
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 43.89 грн |
500+ | 32.18 грн |
1000+ | 23.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN025-80YLX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN025-80YLX за ціною від 16.94 грн до 73.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN025-80YLX | Виробник : Nexperia | MOSFET PSMN025-80YL/SOT669/LFPAK |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN025-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN025-80YLX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN025-80YLX | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN025-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26.5A; Idm: 150A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 67.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN025-80YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN025-80YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN025-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26.5A; Idm: 150A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 67.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |