на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 18.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN026-80YS,115 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN026-80YS,115 за ціною від 16.78 грн до 63.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN026-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN026-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 88500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN026-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN026-80YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN026-80YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 34A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN026-80YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN026-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN026-80YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 54959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN026-80YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 34A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 683 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PSMN026-80YS,115 Код товару: 125967 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
PSMN026-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN026-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |