Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN028-100HSX
PSMN028-100HSX

PSMN028-100HSX Nexperia USA Inc.

PSMN028-100HS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN028-100HSX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції PSMN028-100HSX за ціною від 35.47 грн до 276.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN028-100HSX PSMN028-100HSX NEXPERIA 3791091.pdf Description: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.79 грн
500+85.48 грн
1000+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSX PSMN028-100HSX Nexperia USA Inc. PSMN028-100HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.83 грн
10+94.48 грн
100+75.19 грн
500+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSX PSMN028-100HSX Nexperia PSMN028-100HS.pdf MOSFETs SOT1205 100V 29A
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.11 грн
10+117.24 грн
100+70.53 грн
500+56.77 грн
1500+40.01 грн
3000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSX PSMN028-100HSX NEXPERIA 3791091.pdf Description: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.98 грн
10+179.22 грн
100+110.79 грн
500+85.48 грн
1000+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSX 3791091.pdf
PSMN028-100HSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+110.79 грн
500+85.48 грн
1000+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSX PSMN028-100HS.pdf
PSMN028-100HSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.83 грн
10+94.48 грн
100+75.19 грн
500+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSX PSMN028-100HS.pdf
PSMN028-100HSX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1205 100V 29A
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+184.11 грн
10+117.24 грн
100+70.53 грн
500+56.77 грн
1500+40.01 грн
3000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100HSX 3791091.pdf
PSMN028-100HSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+276.98 грн
10+179.22 грн
100+110.79 грн
500+85.48 грн
1000+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.