PSMN028-100HSX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 58.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN028-100HSX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0215 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN028-100HSX за ціною від 44.90 грн до 127.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN028-100HSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0215 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN028-100HSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0215 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN028-100HSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN028-100HSX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN028-100HS/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|