Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN028-100YS,115
PSMN028-100YS,115

PSMN028-100YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN028-100YS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 50 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN028-100YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN028-100YS,115 за ціною від 25.25 грн до 81.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381340513199584psmn028-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS,115 Виробник : Nexperia PSMN028-100YS.pdf MOSFETs N-channel 100 V, 29 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology
на замовлення 16732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.44 грн
10+59.67 грн
25+51.01 грн
100+38.24 грн
250+37.87 грн
500+31.04 грн
1000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN028-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 50 V
на замовлення 11165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.77 грн
10+52.67 грн
100+36.61 грн
500+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS,115 Виробник : NEXPERIA 4381340513199584psmn028-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381340513199584psmn028-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028-100YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN028-100YS.pdf PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.