PSMN028N10NS2_R2_00201 Panjit International Inc.

Description: 100V/ 2.8M / TOLL FOR INDUSTRAIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 401.09 грн |
10+ | 257.41 грн |
100+ | 184.44 грн |
500+ | 143.88 грн |
1000+ | 136.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN028N10NS2_R2_00201 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 240A, Pulsed drain current: 960A, Power dissipation: 167W, Case: TOLL, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 65nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PSMN028N10NS2_R2_00201
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
PSMN028N10NS2_R2_00201 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 240A Pulsed drain current: 960A Power dissipation: 167W Case: TOLL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
PSMN028N10NS2_R2_00201 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
||
![]() |
PSMN028N10NS2_R2_00201 | Виробник : Panjit |
![]() |
товару немає в наявності |
|
PSMN028N10NS2_R2_00201 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 240A Pulsed drain current: 960A Power dissipation: 167W Case: TOLL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |