Продукція > NEXPERIA > PSMN029-100HLX
PSMN029-100HLX

PSMN029-100HLX NEXPERIA

3791090.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.57 грн
500+114.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN029-100HLX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN029-100HLX за ціною від 50.31 грн до 274.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN029-100HLX PSMN029-100HLX Виробник : NEXPERIA 3791090.pdf Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.76 грн
10+160.52 грн
100+127.57 грн
500+114.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLX PSMN029-100HLX Виробник : Nexperia PSMN029-100HL.pdf MOSFETs SOT1205 100V 30A
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.60 грн
10+109.99 грн
100+69.29 грн
500+63.34 грн
1000+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLX PSMN029-100HLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN029-100HL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.54 грн
10+171.96 грн
50+132.01 грн
100+111.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLX Виробник : NEXPERIA psmn029-100hl.pdf 100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN029-100HLX PSMN029-100HLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN029-100HL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.