Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN030-60YS,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.
Інші пропозиції PSMN030-60YS,115 за ціною від 16.38 грн до 73.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN030-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 49500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 56W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 49.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 727830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 |
на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
PSMN030-60YS,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN030-60YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 17.83 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 17.83 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 18.18 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 19.53 грн |
| 3000+ | 17.20 грн |
| 4500+ | 16.38 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 20.53 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 21.06 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 21.06 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 661+ | 21.45 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 23.06 грн |
| 3000+ | 20.53 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 23.60 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.47 грн |
| 100+ | 23.36 грн |
| 250+ | 21.42 грн |
| 500+ | 20.36 грн |
| 1000+ | 20.16 грн |
| 3000+ | 19.96 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 580+ | 24.47 грн |
| 586+ | 24.23 грн |
| 591+ | 23.99 грн |
| 597+ | 22.91 грн |
| 1000+ | 21.00 грн |
| 3000+ | 19.96 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 33.11 грн |
| 15000+ | 30.26 грн |
| 22500+ | 28.15 грн |
| 30000+ | 25.61 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 49500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 42.33 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 42.95 грн |
| 14+ | 30.00 грн |
| 25+ | 27.01 грн |
| 100+ | 24.93 грн |
| 250+ | 23.85 грн |
| 500+ | 21.44 грн |
| 1000+ | 21.11 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 629+ | 56.38 грн |
| 1000+ | 51.98 грн |
| 10000+ | 46.35 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 727830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 629+ | 56.38 грн |
| 1000+ | 51.98 грн |
| 10000+ | 46.35 грн |
| 100000+ | 37.45 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.00 грн |
| 10+ | 43.75 грн |
| 100+ | 28.53 грн |
| 500+ | 20.64 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN030-60YS/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN030-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN030-60YS,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)