на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 12.49 грн |
| 3000+ | 12.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN030-60YS,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.
Інші пропозиції PSMN030-60YS,115 за ціною від 14.92 грн до 82.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN030-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1300500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 630000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 604330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN030-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 |
на замовлення 3465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN030-60YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 3587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN030-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 56W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 49.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 56W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 49.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN030-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |