Продукція > NEXPERIA > PSMN030-60YS,115
PSMN030-60YS,115

PSMN030-60YS,115 Nexperia


4380952282246247psmn030-60ys.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 702000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN030-60YS,115 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.

Інші пропозиції PSMN030-60YS,115 за ціною від 14.96 грн до 83.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+15.78 грн
3000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : NEXPERIA 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1300500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
463+16.31 грн
500+16.04 грн
1000+15.78 грн
3000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 463
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 702000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.99 грн
3000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
695+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 695
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN030-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.04 грн
3000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 604330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1229+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 1229
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.13 грн
500+21.99 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN030-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
10+36.25 грн
100+28.02 грн
500+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia PSMN030-60YS.pdf MOSFETs PSMN030-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.77 грн
10+39.85 грн
100+25.01 грн
500+20.53 грн
1000+20.38 грн
1500+17.66 грн
3000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059662-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.36 грн
18+46.96 грн
100+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.32 грн
9+42.76 грн
25+38.39 грн
30+30.35 грн
82+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.19 грн
6+53.29 грн
25+46.07 грн
30+36.42 грн
82+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Виробник : Nexperia 4380952282246247psmn030-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.