Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN033-100HLX
PSMN033-100HLX

PSMN033-100HLX Nexperia USA Inc.

PSMN033-100HL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+62.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN033-100HLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції PSMN033-100HLX за ціною від 40.73 грн до 279.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN033-100HLX PSMN033-100HLX NEXPERIA 3791093.pdf Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.95 грн
500+86.75 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLX PSMN033-100HLX Nexperia USA Inc. PSMN033-100HL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+104.55 грн
100+83.22 грн
500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLX PSMN033-100HLX Nexperia PSMN033-100HL.pdf MOSFETs SOT1205 100V 26A
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+119.08 грн
100+71.80 грн
500+57.57 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLX PSMN033-100HLX NEXPERIA 3791093.pdf Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.47 грн
10+180.41 грн
100+111.95 грн
500+86.75 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLX 3791093.pdf
PSMN033-100HLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+111.95 грн
500+86.75 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLX PSMN033-100HL.pdf
PSMN033-100HLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.25 грн
10+104.55 грн
100+83.22 грн
500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLX PSMN033-100HL.pdf
PSMN033-100HLX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1205 100V 26A
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.05 грн
10+119.08 грн
100+71.80 грн
500+57.57 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN033-100HLX 3791093.pdf
PSMN033-100HLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+279.47 грн
10+180.41 грн
100+111.95 грн
500+86.75 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.