| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.03 грн |
| 10+ | 88.92 грн |
| 100+ | 65.51 грн |
| 250+ | 64.20 грн |
| 500+ | 57.99 грн |
| 1000+ | 49.57 грн |
| 2500+ | 49.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN034-100PS,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN034-100PS,127 за ціною від 223.72 грн до 223.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN034-100PS,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Pulsed drain current: 127A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 23.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| PSMN034-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.72 грн |




