Продукція > NEXPERIA > PSMN038-100HSX
PSMN038-100HSX

PSMN038-100HSX Nexperia

psmn038-100hs.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN038-100HSX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN038-100HSX за ціною від 51.39 грн до 134.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Nexperia psmn038-100hs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Nexperia psmn038-100hs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.66 грн
500+121.67 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Nexperia psmn038-100hs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.66 грн
500+121.67 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Nexperia PSMN038-100HS.pdf MOSFETs PSMN038-100HS/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX NEXPERIA 3791088.pdf Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX NEXPERIA 3791088.pdf Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX psmn038-100hs.pdf
PSMN038-100HSX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX psmn038-100hs.pdf
PSMN038-100HSX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+134.66 грн
500+121.67 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX psmn038-100hs.pdf
PSMN038-100HSX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+134.66 грн
500+121.67 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX PSMN038-100HS.pdf
PSMN038-100HSX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN038-100HS/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX 3791088.pdf
PSMN038-100HSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100HSX 3791088.pdf
PSMN038-100HSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.