Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN038-100K,518
PSMN038-100K,518

PSMN038-100K,518 Nexperia USA Inc.

PSMN038-100K.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1332+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 1332
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN038-100K,518 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PSMN038-100K,518 за ціною від 21.05 грн до 24.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN038-100K,518 PSMN038-100K,518 Виробник : Nexperia 4381164005809736psmn038-100k.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
580+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 580
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518 PSMN038-100K,518 Виробник : Nexperia 4381164005809736psmn038-100k.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
382+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 382
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518 PSMN038-100K,518 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PSMN038-100K,518 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1602+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 1602
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518 PSMN038-100K,518 Виробник : NEXPERIA 4381164005809736psmn038-100k.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518 PSMN038-100K,518 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN038-100K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100K,518 PSMN038-100K,518 Виробник : Nexperia PSMN038-100K.pdf MOSFET TAPE13 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.