Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > PSMN038-100YLX (LFPAK56-5, Nexperia) транзистор N-канал
Інші пропозиції PSMN038-100YLX (LFPAK56-5, Nexperia) транзистор N-канал за ціною від 19.91 грн до 125.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94.9W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 39.2nC On-state resistance: 103.5mΩ Power dissipation: 94.9W Drain current: 21.3A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 120A Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
на замовлення 589 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V |
на замовлення 2832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 100V 30A |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94.9W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PSMN038-100YLX | Виробник : NXP |
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |