Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN039-100YS,115
PSMN039-100YS,115

PSMN039-100YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN039-100YS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.63 грн
3000+17.87 грн
4500+17.66 грн
7500+16.44 грн
10500+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN039-100YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN039-100YS,115 за ціною від 18.47 грн до 61.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : NEXPERIA 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
974+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 974
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.18 грн
500+24.98 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+35.46 грн
15000+32.40 грн
22500+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+36.85 грн
33000+33.67 грн
66000+31.32 грн
99000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.24 грн
9000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.63 грн
28500+36.21 грн
57000+33.69 грн
85500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN039-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
на замовлення 82677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.12 грн
10+39.77 грн
100+28.93 грн
500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+59.09 грн
19+45.56 грн
100+33.18 грн
500+24.98 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia PSMN039-100YS.pdf MOSFETs PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 35676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.20 грн
10+50.25 грн
100+29.94 грн
500+23.84 грн
1000+21.63 грн
1500+19.50 грн
3000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN039-100YS.pdf PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.