Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN039-100YS,115
PSMN039-100YS,115

PSMN039-100YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN039-100YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+25.04 грн
3000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN039-100YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 74W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm.

Інші пропозиції PSMN039-100YS,115 за ціною від 17.47 грн до 143.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.81 грн
500+36.27 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+79.09 грн
500+71.19 грн
1000+65.64 грн
10000+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Nexperia PSMN039-100YS.pdf MOSFETs PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 35352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+54.06 грн
100+30.93 грн
500+24.02 грн
1000+20.64 грн
1500+18.85 грн
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN039-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
на замовлення 24428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.97 грн
50+40.74 грн
100+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.36 грн
11+74.02 грн
100+48.81 грн
500+36.27 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 4381318389050655psmn039-100ys.pdf
PSMN039-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 4381318389050655psmn039-100ys.pdf
PSMN039-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN039-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+48.81 грн
500+36.27 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 4381318389050655psmn039-100ys.pdf
PSMN039-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
449+79.09 грн
500+71.19 грн
1000+65.64 грн
10000+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS.pdf
PSMN039-100YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 35352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.98 грн
10+54.06 грн
100+30.93 грн
500+24.02 грн
1000+20.64 грн
1500+18.85 грн
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS.pdf
PSMN039-100YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
на замовлення 24428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.87 грн
10+54.97 грн
50+40.74 грн
100+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN039-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+143.36 грн
11+74.02 грн
100+48.81 грн
500+36.27 грн
1000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.