Продукція > NEXPERIA > PSMN039-100YS,115
PSMN039-100YS,115

PSMN039-100YS,115 NEXPERIA

4381318389050655psmn039-100ys.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN039-100YS,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN039-100YS,115 за ціною від 19.53 грн до 103.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.89 грн
500+27.44 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.41 грн
20+44.20 грн
100+34.89 грн
500+27.44 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia 4381318389050655psmn039-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+69.06 грн
500+62.16 грн
1000+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia PSMN039-100YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 100V 28.
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.95 грн
10+53.30 грн
100+39.56 грн
500+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN039-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.71 грн
10+62.36 грн
50+46.24 грн
100+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN039-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN039-100YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28.1A; Idm: 112A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28.1A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.