PSMN039-100YS,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 23.22 грн |
| 3000+ | 19.91 грн |
| 7500+ | 18.87 грн |
| 10500+ | 16.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN039-100YS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 74W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0308ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN039-100YS,115 за ціною від 16.71 грн до 65.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN039-100YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 133500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN039-100YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN039-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 74W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 4495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN039-100YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V |
на замовлення 14714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN039-100YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 33120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN039-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 74W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0308ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 4495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN039-100YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN039-100YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN039-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PSMN039-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |