на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 26.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN040-100MSEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN040-100MSEX за ціною від 22.72 грн до 96.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 80 V 41 mohm logic level MOSFET in LFPAK56 |
на замовлення 25406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN040-100MSEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN040-100MSEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 121A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 29.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |