PSMN040-100MSEX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 27.57 грн |
| 4500+ | 23.37 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN040-100MSEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 91W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm.
Інші пропозиції PSMN040-100MSEX за ціною від 28.84 грн до 97.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V |
на замовлення 37234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
MOSFETs PSMN040-100MSE/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 26323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
PSMN040-100MSEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 91W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm |
на замовлення 3190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN040-100MSEX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 38.97 грн |
| PSMN040-100MSEX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 38.97 грн |
| 4500+ | 34.37 грн |
| PSMN040-100MSEX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 38.97 грн |
| PSMN040-100MSEX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 39.55 грн |
| 4500+ | 34.86 грн |
| PSMN040-100MSEX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 39.62 грн |
| 4500+ | 34.93 грн |
| PSMN040-100MSEX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
на замовлення 37234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.86 грн |
| 10+ | 59.38 грн |
| 50+ | 44.24 грн |
| 100+ | 36.92 грн |
| 500+ | 28.84 грн |
| PSMN040-100MSEX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN040-100MSE/SOT1210/mLFPAK
MOSFETs PSMN040-100MSE/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 26323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN040-100MSEX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)