Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN040-100MSEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN040-100MSEX за ціною від 27.75 грн до 91.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN040-100MSEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN040-100MSEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 32.06 грн |
| 3000+ | 29.18 грн |
| 9000+ | 28.87 грн |
| PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 32.06 грн |
| 3000+ | 29.18 грн |
| 9000+ | 28.87 грн |
| PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 32.67 грн |
| 3000+ | 32.39 грн |
| PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 32.73 грн |
| 3000+ | 32.44 грн |
| PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 33.76 грн |
| 3000+ | 32.55 грн |
| PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 226+ | 62.90 грн |
| 228+ | 62.27 грн |
| 341+ | 41.59 грн |
| 345+ | 39.68 грн |
| 500+ | 28.91 грн |
| PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 91.15 грн |
| 13+ | 62.90 грн |
| 25+ | 62.27 грн |
| 100+ | 40.10 грн |
| 250+ | 36.75 грн |
| 500+ | 27.75 грн |
| PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN040-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0294 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0294ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




