Продукція > NEXPERIA > PSMN041-80YLX
PSMN041-80YLX

PSMN041-80YLX Nexperia

3006877482459152psmn041-80yl.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN041-80YLX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN041-80YLX за ціною від 18.95 грн до 104.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : Nexperia 3006877482459152psmn041-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : Nexperia 3006877482459152psmn041-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : Nexperia 3006877482459152psmn041-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : Nexperia 3006877482459152psmn041-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : Nexperia 3006877482459152psmn041-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
703+44.13 грн
1000+40.69 грн
10000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 703
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.72 грн
10+51.27 грн
100+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0001056976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.02 грн
14+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.86 грн
10+63.89 грн
100+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN041-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.88 грн
10+58.45 грн
50+43.23 грн
100+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : Nexperia PSMN041-80YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 25A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.49 грн
10+47.54 грн
100+27.79 грн
500+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0001056976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : NEXPERIA 3006877482459152psmn041-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : Nexperia 3006877482459152psmn041-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN041-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.