Продукція > NEXPERIA > PSMN041-80YLX
PSMN041-80YLX

PSMN041-80YLX NEXPERIA

PSMN041-80YL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 836 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+55.22 грн
13+34.97 грн
25+29.92 грн
100+26.98 грн
250+24.96 грн
500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN041-80YLX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 64W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm.

Інші пропозиції PSMN041-80YLX за ціною від 20.32 грн до 125.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN041-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.91 грн
10+55.45 грн
50+41.02 грн
100+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX Nexperia PSMN041-80YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 25A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.31 грн
10+43.36 грн
100+25.35 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA NEXP-S-A0001056976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.46 грн
13+63.22 грн
100+42.77 грн
500+34.95 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.91 грн
10+55.45 грн
50+41.02 грн
100+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 25A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.31 грн
10+43.36 грн
100+25.35 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX NEXP-S-A0001056976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN041-80YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 64W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+125.46 грн
13+63.22 грн
100+42.77 грн
500+34.95 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.