на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 19.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN041-80YLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN041-80YLX за ціною від 19.85 грн до 109.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 40500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN041-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V |
на замовлення 1492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 25A |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
PSMN041-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| PSMN041-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
PSMN041-80YLX SMD N channel transistors |
на замовлення 880 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |