Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN045-100HLX
PSMN045-100HLX

PSMN045-100HLX Nexperia USA Inc.

PSMN045-100HL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.30 грн
10+86.90 грн
100+67.56 грн
500+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN045-100HLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції PSMN045-100HLX за ціною від 32.18 грн до 145.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN045-100HLX PSMN045-100HLX Nexperia psmn045-100hl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+134.07 грн
500+121.02 грн
1000+111.28 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLX PSMN045-100HLX Nexperia PSMN045-100HL.pdf MOSFETs PSMN045-100HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+145.05 грн
10+90.83 грн
100+51.41 грн
500+40.73 грн
1000+36.20 грн
1500+35.40 грн
3000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLX PSMN045-100HLX NEXPERIA 3791092.pdf Description: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLX PSMN045-100HLX NEXPERIA 3791092.pdf Description: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLX psmn045-100hl.pdf
PSMN045-100HLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+134.07 грн
500+121.02 грн
1000+111.28 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLX PSMN045-100HL.pdf
PSMN045-100HLX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN045-100HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.05 грн
10+90.83 грн
100+51.41 грн
500+40.73 грн
1000+36.20 грн
1500+35.40 грн
3000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLX 3791092.pdf
PSMN045-100HLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-100HLX 3791092.pdf
PSMN045-100HLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN045-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21 A, 21 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.