Продукція > NEXPERIA > PSMN045-80YS,115

PSMN045-80YS,115 Nexperia


4381125943241247psmn045-80ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+24.11 грн
3000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN045-80YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 56W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.

Інші пропозиції PSMN045-80YS,115 за ціною від 12.71 грн до 113.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia 4381125943241247psmn045-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.17 грн
3000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia PSMN045-80YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 24A
на замовлення 12309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.31 грн
10+35.41 грн
100+17.32 грн
500+16.06 грн
1000+15.64 грн
1500+12.99 грн
3000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN045-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.77 грн
10+40.24 грн
100+26.24 грн
500+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.24 грн
13+63.79 грн
100+41.55 грн
500+31.54 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115 4381125943241247psmn045-80ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+24.17 грн
3000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 24A
на замовлення 12309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.31 грн
10+35.41 грн
100+17.32 грн
500+16.06 грн
1000+15.64 грн
1500+12.99 грн
3000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 40 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+66.77 грн
10+40.24 грн
100+26.24 грн
500+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115 NEXP-S-A0003059663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+113.24 грн
13+63.79 грн
100+41.55 грн
500+31.54 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.